in English

Петров Петр Петрович
кандидат физико-математических наук, ведущий научный сотрудник

     Родился 18 мая 1946 года в г. Мукачево. Закончил Львіський государственный университет ім. Ів. Франко (1969). Дале служба в советское армии (к 1971). После того некоторое время работал в СКБ завода 'Кинескоп', старшим инженером в университете им. Ів. Франко, НПО 'Карат'.
     С 1974 года пришел на работу в тогда еще Львіський политехнический институт ордена Ленинского комсомолу. Занимался научной работой и преподавательской деятельностью. За все время читал все курсы высшей математики. В 1981 году в Черновцах защитил кандидатскую диссертацию на тему "Примесные состояния и теория эллектронных переносов в узкощелевых полупроводниках" (руководитель - Р.В.Луцев).
     Получил 7 авторских свидетельств и опубликован близко 130 работ.
     Состоящий в браке, дети - дочь ............ и сын .............

Место работы:
     Лаборатория структуры твердого состояния низькорозмірних систем Национального университету "Львовская Политехника"

Основные направления исследований
:

   - теория вузькозонних полупроводников;
   - теория твердых растворов Ge, Si;
   - теория роста кристаллов;
   - теория проводимости электронов в твердых пленках;
   - разработка электронных датчиков температуры, скорости потоков;
также
   - теория частковомагнітних полупроводников;
   - теория низькорозмірних електроних систем: квантовые ями, точки, каналы, барьеры (на основе вузькозонних полупроводников);
   - энергетический спектр и явление переноса в неблагоустроенных вузькозонних полупроводниках;
   - технологические исследования в направления MBE-технологии для устройств и структур на основе вузькозонних полупроводников (предварительно использовалось в гражданских и воинских целях).

Рекламные проспекты:

- Математические модели для описания электронного переноса в низькорозмірних электронных системах
- Разроблені математические модели предназначены для теоретического и технического использования на этапе проектирования электронных приборов на основе полупроводниковых структур с низькорозмірним електроннимгазом.
- Результаты исследований рекомендуются использовать в научных организациях, электронной промышленности и высших учебных заведениях соответствующего профилю.

Список научных работ:

# ключевые работы
  # статьи, конференции и авторские свидетельства
  # за последние годы

7). Примесные состояния в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках, Петров П.П., Долгов Э.Л., Дугаев В.К. Известия вузов СССР. Физика. 1977, № 1, с. 108(4).

10). Коэффициент активности донорной примеси в твердых растворах германий-кремний, Петров П.П., Дугаев В.К. Электронная техника. Материалы. 1978, №3, с.74(3).

11). Energy spectrum particularities of gapless semiconductors with impurities, Петров П.П., Дугаев В.К. Solid State Communications, 1978, v.26, N5, p.303(3)

12). Некоторые свойства примесной зоны в полупроводниках, Петров П.П., Долгов Э.Л., Дугаев В.К. Физика твердого тела, 1978, т.20, с.1633(4).

13). Устойчивость игра ницы раздела фаз при кристаллизации тонких слоев антимонида индия, Петров П.П., Хуторянский Л.Д. Кристаллография 1978, т.23, с.1012(5).

21).
Резонансное рассеяние электронов в бесщелевых полупроводниках, Петров П.П., Дугаев В.К. Физика твердого тела. 1979, т.21, с.906(3).

23).
Термоэдс и коэффициент Холла в бесщелевых полупроводниках при низких температурах, Петров П.П., Дугаев В.К. Физика и техника полупроводников. 1979, т.13 с.1563(5).

24).
Impurity band in Hg1-xCdxTe alloys, Petrov P.P., Dugaev V.K. Physica status solidi. 1979, v.96, p. 129(8).

30).
Longitudional magnetoresistence in zero-gap CdxHg1-xTe at low temperatures, Петров П.П., Кічігін Д.А., Міронов О.О., Дугаєв В.К., Раренко И.М., Тальянський Э.Б. Solid State Communications. 1981, v.37, p.345(4).

31). Отрицательное магнитосопротивление в нитевидных кристаллах арсенида галлия, Петров П.П., Варшава С.С. Пыж А.Д. Физика и техника полупроводников. 1981, т.15, с.1451(2).

38).
О потенциале акцепторной примеси в твердых растворах полупроводников,
Петров П.П., Дугаев В.К. Украинский физический журнал, 1984, т.29, с.443(4).

57).
Энергетический спектр носителей в узкой квантовой яме в бесщелевом полупроводнике, Петров П.П., Дугаев В.К. Физика и техника полупроводков. 1988, т. 22, с. 519(3).

67).
Косвенное взаимодействие примесей обладающих ди-польными моментами, в бесщелевых полупроводниках, Петров П.П., Дугаев В.К. Украинский физический журнал, 1988, т. 33, с. 1403(5).

85). Косвенное взаимодействие экранированных диполей в узкощелевых полупроводниках А4В6, Петров П.П., Дугаев В.К. Физика твердого тела. 1989, т.31, с. 229-232.
    (in English: Undirect interaction of screened dipoles m narrow-gap IV-VI aemioonductora.
                          V.K.Dugaev, P.P.Petrov. Fiz Tverd Tela, vo l31,pp. 229-232, 1989.)

77).
Энергетический спектр носителей, описываемых моделью Дирака, в квантовой яме, Петров П.П., Дугаев В.К. Физика и техника полупроводков. 1989, т. 23, с. 488(5).
     (in English: Energy spectrum of carriers describing by Dirac model in quantum well
                         V.K.Dugaev, P.P.Petrov. Fiz. Tech. Poluprew., vol.23, pp.488-492.1989.)

90).
Уровни, создаваемые короткодействующим потенциалом дефектов и примесей, в квантовых ямах на основе полупроводников А4В6, Петров П.П., Дугаев В.К. Физика и техника полупроводников. 1989, - т. 23, с. 2238.
     (in English: Levels introducing by short-range potential of impurities and defects m quantum wells based on IV-VI semiconductors.
                         V.K.Dugaev. P.P.Petrov. Fiz. Tech Poluprov., vol.23, pp. 2238-2240.1989.)

104).
Energy spectrum in quantum dots of IV-VI narrow-gap semiconductors, Petrov P.P., Dugaev V.K., Litvinov V.I., Mironov O.A., Oszwaldowski M. Semicond. Sci. Tchnol., 1993, v. 8, p. S252-S254(3).
     (in English: Energy spectrum m quantum dots of IV-VI narrow-gap semiconductors.
                           V.K.Dugaev, V.LLitvmov. P.P.Petrov, O.A.Mirono'v, MOszwaldowskii. Semicond Sci. Technoi, vol.8, pp.S252-S254,1993.)

107).
Electron energy spectrum and wave functions in quantum wells on the base of IV-VI narrow-gap semi conductors, Реtrоvв P.P., Dugaev V.K. Physica status solidi (b), 1994, v. 184, N 2, p. 347354(8).

110).
Magnetic impurity interactions in a quantum well on the base of IV-VI semiconductors, Petrov P.P., Dugaev V.K. Litvinov V.I. Superlattices and Microstruc tures, 1994, v. 14, N 4, p. 413(7).

111). Motion of electrons along a randomly curved surface, Petrov P.P., Dugaev V.K. Physics Letters 1995, v. A199, N 5-6, p. 339(5).

112). Диффузия ионов в слоистом кристалле, Петров П.П., Дугаев В.К.Физика твердого тела, 1995, т. 37, №2, с. 318(6).

116).
Electric-current transmission through the contact of two metals, Petrov P.P., Dugaev V.K., Litvinov V.I. Physical Review B, 1995, v.52, N7, 5306-5312(7).

117). Magnetic impurity in a quantum well of a IV-VI narrow gap semiconductor, Petrov P.P., Dugaev V.K., Litvinov V.I. Semicond. Sci.Technol., 1996, v.11,N1, 80-83(4).

122). Conductivity of layered structures with a strongly degenerated electron gas, Petrov P.P., Condensed matter physics, 1999, v.2, N 1(17), 143-148(6).


Статьи, конференции и авторские свидетельства ...

1). Temperature Dependence of the Intrinsic Concentration in Mercury Selenide, Петров П.П., Кревс В.Е., Луців Р.В. Пашковський М.В. Physica status solidi(b), 1974, v.65, N 1, 3 ст.

2).
Устойчивость плоской конечной границы раздела фаз при кристаллизации бинарного сплава, Петров П.П., Хуторянский Л.Д. Конф. молодых ученых по проблеме "Физика твердого тела". Тезисов.докл. Львов, 1975, с. 453.

3). Исследование устойчивости поверхности раздела при кристаллизации тонких слоев InSb, Петров П.П., Сандулова А.В., Хуторянский Л.Д. Тезисы докл. 4 Симпоз. по процессам роста и синтеза полупровод. крист. и пленок, Новосибирск, 1975, с. 271.

4). Устойчивость плоской поверхности раздела фаз при кристаллизации бинарного сплава, Петров П.П., Сандулова А.В., Хуторянский Л.Д. Тезисы докл. 4 Симпоз. по процессам роста и синтеза полупровод. крист. и пленок, Новосибирск, 1975, с. 281.

5). Примесные состояния в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
Петров П.П., Долгов Э.Л. Дугаев В.К. Тезисы докл. 8 Совещ. по теор.полупров., Киев, 1975, 1 ст.

6). Влияние ионизированых собственных точечных дефектов на концентрацию носителей тока в HgCdTe, Петров П.П., Луцив Р.В., Рудь Н.А., Матвиив М.В., Сольский И.М. Изв.АН СССР. Неорган.материалы 1976,т.12,N5, с.1033(5).

8). Влияние примесной зоны на фазовый переход металл-диэлектрик в полуметалле, Петров П.П., Дугаев В.К. В кн.: Фазовые переходы металл-диэлектрик, Львов,1977, с. 232(3).

9). Исследование устойчивости поверхности раздела фаз при выращивании тонких слоев InSb, Петров П.П., Сандулова А.В., Хуторянский Л.Д. В кн.: Рост и легирование полупров. крист. и пленок, ч.2. Наука, Новосибирск, 1977, с.58(2).

14). Датчики температуры на основе нитевидных кристаллов твердых растворов Si-Ge с улучшеными метрологическими характеристиками, Петров П.П., Дугаев В.К., Новиков А.А. Нитевидные кристаллы для новои техники.Тезисов.докл. 3 Всес.конф. Воронеж,1978, с. 110.

15). Энергетический спектр точечных дефектов в Hg1-xCdxTe, Петров П.П., Дугаев В.К. Физическая электроника, 1978, в.17, с.6(7).

16). Рассеяние электронов в Hg1-xCdxTe при низких температурах, Петров П.П., Дугаев В.К. Физическая электроника, 1978, в.17, с.12(6).

17). Примесные состояния в HgTe в случае короткодействующего потенциала примеси, Петров П.П., Дугаев В.К. 9 Совещ. по теории полупроводников. Тезисов. докл. Тбилиси, 1978, с. 1612.

18). Энергетический спектр сильно легированных твердых растворов полупроводников в приближении когерентного потенциала, Петров П.П., Дугаев В.К. Республ. симпоз. по физ. свойствам сложных полупров. Тезисов.докл. Баку, 1978, с. 59(1).

19). Про домішкову зону в вузькозонних полупроводниках, Петров П.П., Дугаев В.К. Вестник Львов. политехнического институту. Электронная техника и приборы. 1978 №132, с.29(6).

20). Особенности кинетических представленный в бесщелевых полупроводниках при низких температурах, Петров П.П., Дугаев В.К. Материалы 20 Всесоюз. Совещ по физ. низких температур, НТ-20, ч.1.Москва, 1979, с.124(3).

22). Точечные дефекты в теллуриде ртути, Петров П.П., Дугаев В.К. Тезисов.докл. 3-й респ. конф. молодых ученых химиков. Таллин, 1979, с.28(1).

25). Особенности поведения гальваномагнитных коэффициентов в бесщелевом CdxHg1-xTe в квантующих магнитных полях, Петров П.П., Миронов О.А. Физика, технология и произв. полупровод. матер. респуб. конф. молодых ученых, ч.2. Вильнюс, 1980, с.28(2).

26). Влияние неупорядоченностей решетки на параметры зонного спектра и явления переноса в твердых растворах Hg1-xCdxTe, Петров П.П., Дугаев В.К. Полупров. с узкой запрещ. зоной и полуметаллы. Матер. 5 Всесоюз. симп. ч.1. Львов, 1980, с.26(3).

27). Особенности продольного магнето-сопротивления в бесщелевом CdHgTe при низких температурах, Петров П.П., Кичигин Д.А., Миронов О.А., Дугаев В.К., Раренко И.М., Тальянский Э.БЫ. Полупров. с узкой запрещ. зоной и полуметаллы. Матер. 5 Всесоюз.симп. ч.1. Львов, 1980, с.78(3).

28). Коэффициент активности ртути в HgTe, Петров П.П., Дугаев В.К., Луцив Р.В. Извест. АН СССР. Неорганич. материалы. 1980, т.16, с.1530(4).

29). Связанные состояния на примесном потенциале некулоновского типа в твердых растворах полупроводников, Петров П.П., Дугаев В.К. 2 Всесоюз.совещ. по глубоким уровням вполупров. Тезисов. докл. Ташкент, 1980, с.143(2).

32). Прыжковая проводимость в твердых растворах Si1-xGex, легированных глубокими примесями, Петров П.П., Кичигин Д.А., Маврин О.А., Миронов О.А., Чистяков С.В. Исследов. и примен.сплавов кремний-германий. Тезисов. докл. Ташкент, 1981, с.16(2).

33). Магнитосопротивление твердых растворов Si1-xGex в области проводимости по примесям, Петров П.П., Маврин О.И., Миронов О.А. Исследов. и примен. сплавов кремний-германий. Тезисов. докл. Ташкент, 1981, с.26(2).

34). О потенциале акцепторной примеси в твердых растворах полупроводников, Петров П.П., Дугаев В.К. 5 Всес. конф. по физ. хим. основам легирования полупровод. материалов.Тезисов.докл.Москва, 1982, с.21(1).

35). Равновесная концентрация собственных точечных дефектов в HgTe при отжиге в парах ртути, Петров П.П. 2 Всес. конф. "Термодинамика и полупровод. материаловедение". Москва, 1983, с.77( 4).

36). Энергетический спектр бесщелевого полупроводника HgTe с вакансиям, Петров П.П., Дугаев В.К. Полупровод. с узкой запрещенной зоной и полуметаллы. Материалы 6 Всес. симп. Львов, 1983, с.17(2).

37). Андерсоновская примесь в бесщелевом полупроводнике, Петров П.П., Дугаев В.К. 11 совещ. по теории полупроводников. Тезисов.докл. Ужгород, 1983, с.184(1).

39). Ширина на забранена зона на сребрън телурид, Петров П.П., Василев В., Бончева-Младенова З., Въкличарово Р., Игнатова А. Приклады вот третия национален симпоз. с международн. участие "Физика и електронизация". Пловдив, 1984, с.177(5).

40). Влияние галлия на электропроводность твердых растворов системы Si-Ge, Петров П.П., Маврин О.И., Степко Т.А., Христосенко Л.Е. Изв.АН СССР. Неорганические материалы. 1985, т. 21, с. 1955(2).

41). Върху една възможност за получаване на кристаллы Ag2-2xCdxTe и Ag2-2xZnxTe (0.00<x<0.08) с повишена подвижност на електроните, Петров П.П., Василев В., Стойчев Вл., Бъкличарова Р., Игнатова А., Александрова С., Чолакова М. Химия, химична технолог. и металургия, ТНТМ-85. Докл. вот научн. сес., кн.2 София, 1985, с. 577(5).

42). Кинетичне свойства на образци вот системата Ag2Te-Ag4SSe, Петров П.П., Василев В., Бончева-Младенова С. Годишник на висшите заведения. Техническа физика, 1986, т. 23, кн. 1, с. 39(9)

43). Косвенное взаимодействие экранированых диполей в бесщелевых полупроводниках, Петров П.П., Дугаев В.К., Поляков И.В. Материалы 7 Всес. симп. по полупров. с узкой запрещен. зоной и полуметаллах, ч. 2. Львов, 1986, с. 233.

45). Особенности электронного переноса в Ag2Te вблизи структурного фазового перепоходка, Петров П.П., Королева Л.С., Лопатинский И.Е. Материалы 7 Всес.симп.по полупров. с узкой запрещен. зоной и полуметаллах, ч.2. Львов, 1986, с.209(3).

44). Термоэлектрические свойства сплавов системы Ag2Te-Ag4SSe, Петров П.П., Василев В., Бончева-Младенова С. Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1986, т. 22, с. 26(3).

46). Влияние термообработки на концентрацию собственных дефектов в Ag2Te, Петров П.П., Королева Л.С., Лопатинский И.Е. Материаловедение халькогенидных и кислородсодержащих полупров. Тезисов. докл. 2 Всес конф., ч. 2. Черновцы, 1986, с.46(1).

47). Зонная структура Ag2Te, Петров П.П., Королева Л.С., Мартынов В.Ю. Материаловедение халькогенидных и кислородсодержащих полупров. Тезисов.докл.2 Всес конф., ч.2. Черновцы, 1986, с.47(1).

48). Явления электронного переноса и проводимость в нитевидных кристаллах Si-Ge p-типа, Петров П.П., Маврин О.И., Миронов О.А., Королева Л.С., Степко Т.А., Чистяков С.В., Христосенко Л.Е. Исследов. и применен. сплавов кремний-германий. Тезисов. докл. 6 координ. совещ. Тбилиси, 1986, с. 42(1).

49). Использование нитевидных кристаллов твердого раствора Si-Ge в термометрии
Петров П.П., Маврин О.И., Степко Т.А., Христосенко Л.Е. В кн.:Исследов. и применен. сплавов кремний-германий. Тезисов. докл.6 координ. совещ. Тбилиси,1

50). Малоинерционный датчик температуры на основе нитевидных кристаллов Si-Ge, Петров П.П., Маврин О.И., Степко Т.А., Христосенко Л.Е. Приборы и техника эксперимента.1986, №6, с. 207(2).

51). Взаимодействие анизотропных дефектов в бесщелевых полупроводниках и ориентационные фазовые переходы в системе дефектов, Петров П.П., Дугаев В.К., Поляков И.В. 11 Всес. конф.по физике сегнетоэлетриков. Тезисов.докл., т.2. Киев, 1986, с. 235(1).

52). Transport properties of monocrystalline silver telluride, Petrov P.P., Vassilev V., Boncheva- Mladenova Z. Physica status solidi(a), 1987, v.99, p.237(6).

53). Тензорезистор, Петров П.П., Гаврилюк Ю.Н., Демидов Ю.Н., Степко Т.А., Христосенко Л.Э., Якшин А.И. Авт. свид. СССР  № 1276037, зарег. 08.08.1986.

54). Численные расчеты химического потенциала, проводимости и температурного коэффициента сопротивления в CdTe, Петров П.П., Дугаев В.К., Поляков О.А., Степко Т.А. Рукопись депон. в Укрниинти 23.06.87, №1702 Ук87.16.

55). Взаимодействие собственных дефектов в бесщелевых полупроводниках АIIВIV, Петров П.П., Дугаев В.К. 3 школа по акт. вопросам физ. полуметал. и узкозон. полупровод. Тезисов. докл. Тирасполь,1987, с.43(1).

56). Расчет химического потенциала, концентрации дефектов и коэффициента активности в CdTe при образовании комплексов вакансия-примесь, Петров П.П., Дугаев В.К., Королева Л.С., Поляков И.О. Рукопись деп. в Укрниинти 23.10.87, №2953 Ук87.16.

58). Толстопленочный термометр сопротивления, Петров П.П., Гаврилюк Ю.Н., Демидов Ю.Н., Кичигин Д.А., Миронов О.А., Степко Т.А., Христосенко Л.Э., Чистяков С.В., Якшин А.И. Авт. свид. СССР №1395012, зарег. 08.01.1988.

59). Температурные зависимости концентрации дефектов и примесей в различных зарядовых состояниях в теллуриде кадмия, Петров П.П., Дугаев В.К., Королева Л.С., Поляков И.О. Рукопись деп. в Укрниинти 12.08.88, №1972 Ук88.10.

60). Магнитосопротивление композиционных термометров сопротивления для криогенных температур, Петров П.П., Демидов Ю.Н., Миронов О.А., Степко Т.А., Христосенко Л.Э., Чистяков С.В. Электрические методы и средства измер.температуры "Электротермометрия-88". Тезисов. докл.6 Всес. конф., ч. 1. Луцк, 1987, с.140(1).

61). Полупроводниковые миниатюрные термочувствительные элементы, Петров П.П., Маврин О.И., Степко Т.А., Христосенко Л.Э. Там же: ч.2, Луцк, 1987, с.272(1).

62). Магнитосопротивление монокристаллического теллурида серебра, Петров П.П., Королева Л.С., Мартынов В.Ю. Электронная техника. Сэр. 6 "Материалы". 1988, в.1(4).

63). Особенности поведения дефектов в системе Ag2Te-CdTe, Петров П.П., Королева Л.С. 2 Всес. школа по физ. и хим. рыхлых и слоистых крист. структур Тезисов. докл. Харьков, 1988, с. 171(1).

64). Суперионный переход в кристаллах Ag2Te-CdTe, Петров П.П., Королева Л.С., Мартынов В.Ю. Там же, с. 172(1).

65). Исследование процессов роста моно-кристаллов твердых растворов (Ag2Te)1-x(CdTe)x, Петров П.П., Королева Л.С. 7 Всес. конф. "Хим.,физ. и техн. примен. халькогенидов". Тезисов. докл., ч.1, Ужгород, 1988, с.113(1).

66). Энергетический спектр твердых растворов (Ag2Te)1-x(CdTe)x, Петров П.П., Королева Л.С. Там же, ч.2, с.189(1).

68). Спинодальный распад полупроводниковых твердых растворов. Влияние электронной подсистемы, Петров П.П., Дугаев В.К. 6 Всес. конф. по физ.- хим. основам легирования полупровод. матер. Тезисов.докл. Москва, 1988, с. 2062.

69). Некоторые особенности электрических свойств толстопленочных резисторов, Петров П.П., Демидов Ю.Н., Калашник О.Н., Христосенко Л.Е. Состояние и перспективы разработки материалов для гибрид. интегр. схем Тезисов.докл. 3 науч.-техн сем. Львов, 1988. с.16(2).

71). Толстопленочные резистивные элементы как средства измерения криогенных температур, Петров П.П., Гаврилюк Ю.Н., Демидов Ю.Н., Миронов О.А., Христосенко Л.Э. Состояние и перспективы разработки материалов для гибрид. интегр. схем Тезисов.докл. 3 науч.-техн. сем. Львов, 1988 57(2).

72). Тензосвойства толстопленочных резистивных элементов, Петров П.П., Гаврилюк Ю.Н., Демидов Ю.Н., Степко Т.А., Христосенко Л.Э. Там же, с.54(2).

70). Електрични и топлофизични свойства на образци вот системата Ag2-2xZnxTe,
Петров П., Василев В., Опанович А. Годишник В УЗ. Техн.физ. 1988, т. 25, с. 323(11).

73). Влияние электрического поля на совместный массоперенос германия и кремния, Петров П.П., Королева Л.С., Маврин О.И., Степко Т.А., Христосенко Л.Э. Материалы докл. 7 коорд совещ. по исслед. и примен. тверд. растворов германий-кремний. Баку, 1988, с. 19(1).

74). Конвективный массоперенос в системе Si-Ge-Br, Петров П.П., Василина Б.С. Маврин О.И. Там же, с.20(1).

75). Энергия активации акцепторной примеси в твердых растворах кремний-германий, Петров П.П., Дугаев В.К. Там же, с.32(1).

76). Легирующие свойства платины в твердом растворе Si1-xGex, Петров П.П., Маврин О.И., Степко Т.А., Христосенко Л.Э. Там же, с.34(1).

78). Полупроводниковый термометр сопротивления, Петров П.П., Маврин О.И., Степко Т.А., Христосенко Л.Э. Авт. свид. СССР №1461142, зарег. 20.10.1988.

79). Об устойчивости системы взаимодействующих примесей в узкощелевых полупроводниках, Петров П.П., Дугаев В.К., Товстюк К.Д. Рукоп.депон. в Укрниинти, 22.03.1989. №838-ук89.20.

80). Термодинамика системы взаимодействующих примесей, Петров П.П., Дугаев В.К. Термодинамика и материаловедение полупровод.Тезисов. докл. 4 Всес. конф. ч. 1. Москва, 1989, с. 48(2).

81). Термодинамический аспект суперионного фазового перепоходка в системе Ag2Te-CdTe, Петров П.П., Василев В. Королева Л.С. Там же, ч. 1, с. 130(2).

82). Термодинамический анализ системы примесей и дефектов в теллуриде кадмия, Петров П.П., Дугаев В.К. Королева Л.С. Поляков И.О. Там же, ч. 2, с. 462(2).

83). Spinodal decomposition in semiconductor alloys, V.K.Dugaev, P.P.Petrov. Physica status solidi(b), 1989, v. 153, p. 115-122.

84). Термометры сопротивления для низких температур на основе толстопленочной технологии, Петров П.П., Демидов Ю.Н. Миронов О.А. Христосенко Л.Э. Электронная техника. Сэр. 5 Радиодетали и радиокомпоненты 1989, в. 1(300), с. 41(2).

86). Датчик давления, Петров П.П., Демидов Ю.Н., Панков Ю.М., Прокопишин И.Ю. Авт. свид. СССР №1489342, зарег. 22.02.1989.

87). Статистика заряженных дефектов и примесей в CdTe при комплексообразовании, Петров П.П., Дугаев В.К., Поляков И.О., Королева Л.С. Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1989, т. 25, с. 1560(3).
    (in English: Statistic of charged impurities and defects in CdTe under complexes formations
                         V.K.Dugaev, L.S.Koroteva, P.P.Petrov. LO.Poljakov. Izv. AN USSR, Neorgan. Mater." vol.25, pp. 1560-1562,1989.)

88). Толстопленочные резистивные элементы как средства измерения криогенных температур, Петров П.П., Гаврилюк Ю.Н., Демидов Ю.Н., Миронов О.А., Хриситосенко Л.Э. Обмен производ. техн. опытом. 1989, в. 11, с. 50(2).

89). Тензосвойства толстопленочных резистивных элементов, Петров П.П., Гаврилюк Ю.Н. Демидов Ю.Н. Степко Т.А. Христосенко Л.Э. Обмен производ. техн.опытом. 1989, в. 11, с. 48(2).

91). Термодинамическое описание системы взаимодействующих примесей и дефектов в кристаллах соединений А4В6, Петров П.П., Дугаев В.К. Моделирование роста кристаллов. Тезисов. докл. 3 Всес. конф., ч.1. Рига, 1990, с. 71(2).

92). Роль конвекции в в процессе осаждения твердого раствора Ge-Si из газовой фазы, Петров П.П., Василина Б.С., Маврин О.И., Королева Л.С. Там же, с.175(1).

93). Тензорезистор, Петров П.П., Гаврилюк Ю.Н., Демидов Ю.Н,. Степко Т.А., Христосенко Л.Э. Авт. свид. СССР №1547486, зарег. 01.11.1989.

94). Двумерные состояния в квантовой яме для полупроводников со спектром дираковского типа, Петров П.П., Дугаев В.К. Физ. и хим. поверхности и границ раздела узкощелевых полупров. Тезисов. докл. республ. конф.   Львов, 1990, 2 стр.

95). Толостопленочный термометр сопротивления, Петров П.П., Гаврилюк Ю.Н., Демидов Ю.Н., Миронов О.А., Степко Т.А., Христосенко Л.Э., Чистяков С.В. Авт. свид. СССР №1552902, зарег. 23.11.1989.

96). Особенности электропроводности композиционных толстых пленок, Петров П.П., Демидов Ю.Н., Христосенко Л.Э. Моделирование в материаловедении FACTOR-90, Львов, 1990, с.25(1).

97). Неустойчивости в системе примесей с взаимодействием обусловленным фононным обменом, Петров П.П., Дугаев В.К., Товстюк К.Д. Украинский физический журнал, 1990, т. 35, с. 1381(5).
     (in English: Unstables coursed by phoooQ interactions m system of impurities with interactions.
                           V.K.Dugaev, P.P.Petrov. K.D.Tovstjuk. UlcrainskH Fiz. ZA ,vol. 35, pp. 1381-1385,1990.)

98). Электронный энергетический спектр в квантовых точках в полупроводниках на основе халькогенидов свинца и их твердых растворов, Петров П.П., Дугаев В.К., Литвинов В.И. Материаловедение халькогенидных по лупроводников. Тезисов. докл. 3 Всес. науч.-техн. конф. - Черновцы, 1991, с. 63(1).

99). Толстопленочный термометр сопротивления, Петров П.П., Гаврилюк Ю.Н., Демидов Ю.Н., Миронов О.А., Степко Т.А., Христосенко Л.Э., Чистяков С.В. Авт. свид. СССР №1637578, зарег. 22.11.1990.

100). Электронные состояния, обусловленные возмущением эффективной массы, в узкой квантовой яме на основе бесщелевых полупроводников, Петров П.П., Дугаев В.К. Полупров. с узкой запрещ. зоной иполуметаллы. Матер. 8 Всес. симп., ч. 1, Львов, 1991, с.92(3).

101). Energy spectrum in quantum dots of IV-VI narrow-gap semiconductors, Petrov P.P., Dugaev V.K. Litvinov V.I. Mironov O.A. Oszwaldowski M. Int.Conf. on Narrow Gap Semiconductors. Abstracts. Southampton UK, 1992, p.114(1).

102). Электронный энергетический спектр в квантовых точках для халькогенидов свинца и их твердых растворов, Петров П.П., Дугаев В.К., Литвинов В.И. Изв.АН России, Неорганические матер. 1992, с. 2327(4).

103). Energy spectrum in quantum dots of lead and tin chalcogenides se miconducting alloys, Petrov P.P., Dugaev V.K., Litvinov V.I., Mironov O.A., Nashchekina O.N., Oszwaldowski M. Acta Physica Polonica, 1992, v. 82, p. 797(4).

105). Проводимость в сверхструктурах на основе полупроводников с сильно вырожденным электронным газом, Петров П.П., Дугаев В.К. 11 Україн.конф. "Материаловедение и физика полупроводниковых фаз. сменного состава" Нежин, 1993 г., Тезиса докладов, ч. 1, стр. 43-45(3).

106). Расчет коэффициента химической диффузии примесей в теллуриде кадмия, Петров П.П., Дугаев В.К. Известия РАН. Неорганичесчкие материалы. 1994, т. 30, № 2, с. 277278(2).

108). Магнитные взаимодействия в квантовых ямах на основе полупроводников А4B6, Петров П.П., Дугаев В.К., Литвинов В.И. "The First International Conf.on Material Science of Chaleogenide and Diamond-Structure Semiconductors. Chernivtsy 1994". Abstract booklet, vol. 1, p. 14(1).

109). Динамическая проводимость электронов в полупроводниковой кван товой яме, Костробій П.П., Дугаев В.К., Петров П.П., Рудавский Ю.К. "16th Pe kar Internation. Conf. on Theory of Semiconductors", Odessa, 1994, Abstract, p. 44(1).

113). Electron transport properties in a quantum well, P.Kostrobii, V.Dugaev, P.Petrov, Int. workshop on stat. phys. and cond. material theory. Lviv, Ukraine, 11-14 Sept., 1995. Abstract, p.80(1).

114). Transport properties of metallic structures with nonideal interfaces, Petrov P.P., Dugaev V.K. Litvinov V.I. International Shool-Conference on Physical Properties in Material Science of Semiconductors. Chernivtsi, Ukraine, 11-16 Sept., 1995 Abstract Booklet, p. 1971.

115). Фазовый переход диэлектрик^-металл-диэлектрик в неблагоустроенных двумерных электронных системах, П.П. Костробій, Г.Петров, Ю.Рудавський, Всеукраинская научная конференция "Разработка и применение математических методов в научно-технических исследованиях" присв'ячена 70-летию от дня рождения проф. П.С. Казімірського, 5-7 октября 1995, Львов, Тезиса докладов, ч.2, с. 82(1).

118). Электропроводность в металлических надструктурах, Петров П.П., Костробій Г., Венгрин Б. Материалы II Міжн. конф. "Конструкционные и функциональные материалы". 1997, Львов, с.46.1

119). Электрическое сопротивление плоского контакта двух металлов, Петров Г., Дугаєв В., Костробій Г. Материалы II Міжн. конф. "Конструкционные и функциональные материалы". 1997, Львов, с.160(1).

120). Розв'язок уравнения Больцмана для металлических периодических структур, Петров П.П., Вестник Держ. університ. "Львовская политехника". № 346, Прикладная матем. 1998, с.60-65(6).

121). Электропроводность системы квазі-двовимірних электронов, Петров П.П., Вестник Держ. університ. "Львовская политехника". № 357, Электроника, 1988, с.71-74(4).


Публикации за 1999-2001 года

123). Conductivity of periodical structures with a strongly degenerated electron gas, Petrov P.P., Journal of Pysical Studies, 1999, v.3, N 1, 90-94(5).

124). Холівська проводимость электронов в полупроводниковое квантовой яме, Петров П.П., Вестник Держ.університ. "Львовская политехника". Элементы теории и приборы твердотілої электроники". - 1999, № 362, с. 22-25(4).

125). Магнітоопір электронов в полупроводниковое квантовой яме, Петров П.П., Вестник Держ. університ. "Львовская политехника". Элементы теории и приборы твердотілої электроники". - 1999, № 362, с. 22-25(4).

126). Особенности термоэлектрических характеристик в напіпровідникових квантовых ямах, Петров П.П., Венгрин Б.Я., Костробій Г.П. Вестник Держ. університ. "Львовская политехника". Электроника, 1999, № 382, с.61-67(6).

127). Приближение самосогласования для функции грина квазідвовимірних электронов, Петров П.П., Вестник Держ. університ. "Львовская политехника". Прикладная матем. 1999, № 364,с.63-67(5).

128). Электропроводность и термопровідність в нізькорозмірних электронных системах, Петров П.П., Венгрин Б.Я., Костробій П.П. Вестник Держ. університ. "Львовская политехника". Элементы теории и приборов твердотільної электроники. 2000, № 393, с.49-52(4).

129). Процессы термоэлектрических явлений в квазідвовимірних электронных системах на основе квантовых ям, Петров П.П., Венгрин Б.Я., Костробій П.П. Вестник Держ. університ. "Львовская политехника". Электроника. 2000, № 397, с.113-117(5).

130).
The electron transport phenomenain quantum wells on the basse of narrow-qap semiconductors at temperature qradient, B.Venhryn, P.Kostrobii, P.Petrov, 6th International Conference on Intermolecular in Matter, Gdansk(Poland), 10-13 September 2001, 1 p.

записки