in English

Петров Петро Петрович
кандидат фізико-математичних наук, провідний науковий співробітник

     Народився 18 травня 1946 року в м. Мукачево. Закінчив Львіський державний університет ім. Ів. Франка (1969). Далі служба в радянській армії (до 1971). Після того якийсь час працював у СКБ заводу 'Кінескоп', старшим інженером в університеті ім. Ів. Франка, НПО 'Карат'.
     З 1974 року прийшов на роботу в тоді ще Львіський політехнічний інститут ордена Ленінського комсомолу. Займався науковою роботою та викладацькою діяльністю. За весь час читав усі курси вищої математики. У 1981 році в Чернівцях захистив кандидатську дисертацію на тему "Примесные состояния и теория эллектронных переносов в узкощелевых полупроводниках" (керівник - Р.В.Луцев).
     Здобув 7 авторських свідоцтв та опубліковано близько 130 праць.
     Одружений, діти - дочка ............ і син .............

Місце праці:
     Лабораторія структури твердого стану низькорозмірних систем Національного університету "Львівська Політехніка"

Основні напрямки досліджень
:

   - теорія вузькозонних напівпровідників;
   - теорія твердих розчинів Ge, Si;
   - теорія росту кристалів;
   - теорія провідності електронів в твердих плівках;
   - розробка електронних дaтчиків температури, швидкості потоків;
також
   - теорія частковомагнітних напівпровідників;
   - теорія низькорозмірних електроних систем: квантові ями, точки, канали, бар'єри (на основі вузькозонних напівпровідників);
   - енергетичний спектр и явище переносу в невпорядкованих вузькозонних напівпровідниках;
   - технологічні дослідження в напрямку MBE-технології для пристроїв та структур на основі вузькозонних напівпровідників (попередньо використовувалось в цивільних і військових цілях).

Рекламні проспекти:

- Математичні моделі для опису електронного переносу в низькорозмірних електронних системах
- Разроблені математичні моделі призначені для теоретичного і технічного використання на етапі проектування електронних приладів на основі напівпровідникових структур с низькорозмірним електронним газом.
- Результати досліджень рекомендуються використовувати в наукових організаціях, електронній промисловості та вищих навчальних закладах відповідного профілю.

Список наукових праць:

# ключові роботи
  # статті, конференції та авторські свідоцтва
  # за останні роки

7). Примесные состояния в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках, Петров П.П., Долгов Е.Л., Дугаев В.К. Известия вузов СССР. Физика. 1977, № 1, с. 108(4).

10). Коэффициент активности донорной примеси в твердых растворах германий-кремний, Петров П.П., Дугаев В.К. Электронная техника. Материалы. 1978, №3, с.74(3).

11). Energy spectrum particularities of gapless semiconductors with impurities, Петров П.П., Дугаев В.К. Solid State Communications, 1978, v.26, N5, p.303(3)

12). Некоторые свойства примесной зоны в полупроводниках, Петров П.П., Долгов Е.Л., Дугаев В.К. Физика твердого тела, 1978, т.20, с.1633(4).

13). Устойчивость гра ницы раздела фаз при кристаллизации тонких слоев антимонида индия, Петров П.П., Хуторянский Л.Д. Кристаллография 1978, т.23, с.1012(5).

21).
Резонансное рассеяние электронов в бесщелевых полупроводниках, Петров П.П., Дугаев В.К. Физика твердого тела. 1979, т.21, с.906(3).

23).
Термоэдс и коэффициент Холла в бесщелевых полупроводниках при низких температурах, Петров П.П., Дугаев В.К. Физика и техника полупроводников. 1979, т.13 с.1563(5).

24).
Impurity band in Hg1-xCdxTe alloys, Petrov P.P., Dugaev V.K. Physica status solidi. 1979, v.96, p. 129(8).

30).
Longitudional magnetoresistence in zero-gap CdxHg1-xTe at low temperatures, Петров П.П., Кiчiгiн Д.А., Мiронов О.О., Дугаєв В.К., Раренко И.М., Тальянський Е.Б. Solid State Communications. 1981, v.37, p.345(4).

31). Отрицательное магнитосопротивление в нитевидных кристаллах арсенида галлия, Петров П.П., Варшава С.С. Пыж А.Д. Физика и техника полупроводников. 1981, т.15, с.1451(2).

38).
О потенциале акцепторной примеси в твердых растворах полупроводников,
Петров П.П., Дугаев В.К. Украинский физический журнал, 1984, т.29, с.443(4).

57).
Энергетический спектр носителей в узкой квантовой яме в бесщелевом полупроводнике, Петров П.П., Дугаев В.К. Физика и техника полупроводков. 1988, т. 22, с. 519(3).

67).
Косвенное взаимодействие примесей обладающих ди-польными моментами, в бесщелевых полупроводниках, Петров П.П., Дугаев В.К. Украинский физический журнал, 1988, т. 33, с. 1403(5).

85). Косвенное взаимодействие экранированных диполей в узкощелевых полупроводниках А4В6, Петров П.П., Дугаев В.К. Физика твердого тела. 1989, т.31, с. 229-232.
    (in English: Undirect interaction of screened dipoles m narrow-gap IV-VI aemioonductora.
                          V.K.Dugaev, P.P.Petrov. Fiz Tverd Tela, vo l31,pp. 229-232, 1989.)

77).
Энергетический спектр носителей, описываемых моделью Дирака, в квантовой яме, Петров П.П., Дугаев В.К. Физика и техника полупроводков. 1989, т. 23, с. 488(5).
     (in English: Energy spectrum of carriers describing by Dirac model in quantum well
                         V.K.Dugaev, P.P.Petrov. Fiz. Tech. Poluprew., vol.23, pp.488-492.1989.)

90).
Уровни, создаваемые короткодействующим потенциалом дефектов и примесей, в квантовых ямах на основе полупроводников А4В6, Петров П.П., Дугаев В.К. Физика и техника полупроводников. 1989, - т. 23, с. 2238.
     (in English: Levels introducing by short-range potential of impurities and defects m quantum wells based on IV-VI semiconductors.
                         V.K.Dugaev. P.P.Petrov. Fiz. Tech Poluprov., vol.23, pp. 2238-2240.1989.)

104).
Energy spectrum in quantum dots of IV-VI narrow-gap semiconductors, Petrov P.P., Dugaev V.K., Litvinov V.I., Mironov O.A., Oszwaldowski M. Semicond. Sci. Tchnol., 1993, v. 8, p. S252-S254(3).
     (in English: Energy spectrum m quantum dots of IV-VI narrow-gap semiconductors.
                           V.K.Dugaev, V.LLitvmov. P.P.Petrov, O.A.Mirono'v, MOszwaldowskii. Semicond Sci. Technoi, vol.8, pp.S252-S254,1993.)

107).
Electron energy spectrum and wave functions in quantum wells on the base of IV-VI narrow-gap semi conductors, Petrovв P.P., Dugaev V.K. Physica status solidi (b), 1994, v. 184, N 2, p. 347354(8).

110).
Magnetic impurity interactions in a quantum well on the base of IV-VI semiconductors, Petrov P.P., Dugaev V.K. Litvinov V.I. Superlattices and Microstruc tures, 1994, v. 14, N 4, p. 413(7).

111). Motion of electrons along a randomly curved surface, Petrov P.P., Dugaev V.K. Physics Letters 1995, v. A199, N 5-6, p. 339(5).

112). Диффузия ионов в слоистом кристалле, Петров П.П., Дугаев В.К.Физика твердого тела, 1995, т. 37, №2, с. 318(6).

116).
Electric-current transmission through the contact of two metals, Petrov P.P., Dugaev V.K., Litvinov V.I. Physical Review B, 1995, v.52, N7, 5306-5312(7).

117). Magnetic impurity in a quantum well of a IV-VI narrow gap semiconductor, Petrov P.P., Dugaev V.K., Litvinov V.I. Semicond. Sci.Technol., 1996, v.11,N1, 80-83(4).

122). Conductivity of layered structures with a strongly degenerated electron gas, Petrov P.P., Condensed matter physics, 1999, v.2, N 1(17), 143-148(6).


Статті, конференції та авторські свідоцтва ...

1). Temperature Dependence of the Intrinsic Concentration in Mercury Selenide, Петров П.П., Кревс В.Є., Луцiв Р.В. Пашковський М.В. Physica status solidi(b), 1974, v.65, N 1, 3 ст.

2).
Устойчивость плоской конечной границы раздела фаз при кристаллизации бинарного сплава, Петров П.П., Хуторянский Л.Д. Конф. молодых ученых по проблеме "Физика твердого тела". Тез.докл. Львов, 1975, с. 453.

3). Исследование устойчивости поверхности раздела при кристаллизации тонких слоев InSb, Петров П.П., Сандулова А.В., Хуторянский Л.Д. Тезисы докл. 4 Симпоз. по процессам роста и синтеза полупровод. крист. и пленок, Новосибирск, 1975, с. 271.

4). Устойчивость плоской поверхности раздела фаз при кристаллизации бинарного сплава, Петров П.П., Сандулова А.В., Хуторянский Л.Д. Тезисы докл. 4 Симпоз. по процессам роста и синтеза полупровод. крист. и пленок, Новосибирск, 1975, с. 281.

5). Примесные состояния в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
Петров П.П., Долгов Е.Л. Дугаев В.К. Тезисы докл. 8 Совещ. по теор.полупров., Киев, 1975, 1 ст.

6). Влияние ионизированых собственных точечных дефектов на концентрацию носителей тока в HgCdTe, Петров П.П., Луцив Р.В., Рудь Н.А., Матвиив М.В., Сольский И.М. Изв.АН СССР. Неорган.материалы 1976,т.12,N5, с.1033(5).

8). Влияние примесной зоны на фазовый переход металл-диэлектрик в полуметалле, Петров П.П., Дугаев В.К. В кн.: Фазовые переходы металл-диэлектрик, Львов,1977, с. 232(3).

9). Исследование устойчивости поверхности раздела фаз при выращивании тонких слоев InSb, Петров П.П., Сандулова А.В., Хуторянский Л.Д. В кн.: Рост и легирование полупров. крист. и пленок, ч.2. Наука, Новосибирск, 1977, с.58(2).

14). Датчики температуры на основе нитевидных кристаллов твердых растворов Si-Ge с улучшеными метрологическими характеристиками, Петров П.П., Дугаев В.К., Новиков А.А. Нитевидные кристаллы для новой техники.Тез.докл. 3 Всес.конф. Воронеж,1978, с. 110.

15). Энергетический спектр точечных дефектов в Hg1-xCdxTe, Петров П.П., Дугаев В.К. Физическая электроника, 1978, в.17, с.6(7).

16). Рассеяние электронов в Hg1-xCdxTe при низких температурах, Петров П.П., Дугаев В.К. Физическая электроника, 1978, в.17, с.12(6).

17). Примесные состояния в HgTe в случае короткодействующего потенциала примеси, Петров П.П., Дугаев В.К. 9 Совещ. по теории полупроводников. Тез. докл. Тбилиси, 1978, с. 1612.

18). Энергетический спектр сильно легированных твердых растворов полупроводников в приближении когерентного потенциала, Петров П.П., Дугаев В.К. Республ. симпоз. по физ. свойствам сложных полупров. Тез.докл. Баку, 1978, с. 59(1).

19). Про домiшкову зону в вузькозонних напiвпровiдниках, Петров П.П., Дугаев В.К. Вiсник Львiв. полiтехнiчного iнституту. Електронна технiка та прилади. 1978 №132, с.29(6).

20). Особенности кинетических явлений в бесщелевых полупроводниках при низких температурах, Петров П.П., Дугаев В.К. Материалы 20 Всесоюз. Совещ по физ. низких температур, НТ-20, ч.1.Москва, 1979, с.124(3).

22). Точечные дефекты в теллуриде ртути, Петров П.П., Дугаев В.К. Тез.докл. 3-й респ. конф. молодых ученых химиков. Таллин, 1979, с.28(1).

25). Особенности поведения гальваномагнитных коэффициентов в бесщелевом CdxHg1-xTe в квантующих магнитных полях, Петров П.П., Миронов О.А. Физика, технология и произв. полупровод. матер. респуб. конф. молодых ученых, ч.2. Вильнюс, 1980, с.28(2).

26). Влияние неупорядоченностей решетки на параметры зонного спектра и явления переноса в твердых растворах Hg1-xCdxTe, Петров П.П., Дугаев В.К. Полупров. с узкой запрещ. зоной и полуметаллы. Матер. 5 Всесоюз. симп. ч.1. Львов, 1980, с.26(3).

27). Особенности продольного магнето-сопротивления в бесщелевом CdHgTe при низких температурах, Петров П.П., Кичигин Д.А., Миронов О.А., Дугаев В.К., Раренко И.М., Тальянский Э.Б. Полупров. с узкой запрещ. зоной и полуметаллы. Матер. 5 Всесоюз.симп. ч.1. Львов, 1980, с.78(3).

28). Коэффициент активности ртути в HgTe, Петров П.П., Дугаев В.К., Луцив Р.В. Извест. АН СССР. Неорганич. материалы. 1980, т.16, с.1530(4).

29). Связанные состояния на примесном потенциале некулоновского типа в твердых растворах полупроводников, Петров П.П., Дугаев В.К. 2 Всесоюз.совещ. по глубоким уровням в полупров. Тез. докл. Ташкент, 1980, с.143(2).

32). Прыжковая проводимость в твердых растворах Si1-xGex, легированных глубокими примесями, Петров П.П., Кичигин Д.А., Маврин О.А., Миронов О.А., Чистяков С.В. Исследов. и примен.сплавов кремний-германий. Тез. докл. Ташкент, 1981, с.16(2).

33). Магнитосопротивление твердых растворов Si1-xGex в области проводимости по примесям, Петров П.П., Маврин О.И., Миронов О.А. Исследов. и примен. сплавов кремний-германий. Тез. докл. Ташкент, 1981, с.26(2).

34). О потенциале акцепторной примеси в твердых растворах полупроводников, Петров П.П., Дугаев В.К. 5 Всес. конф. по физ. хим. основам легирования полупровод. материалов.Тез.докл.Москва, 1982, с.21(1).

35). Равновесная концентрация собственных точечных дефектов в HgTe при отжиге в парах ртути, Петров П.П. 2 Всес. конф. "Термодинамика и полупровод. материаловедение". Москва, 1983, с.77( 4).

36). Энергетический спектр бесщелевого полупроводника HgTe с вакансиям, Петров П.П., Дугаев В.К. Полупровод. с узкой запрещенной зоной и полуметаллы. Материалы 6 Всес. симп. Львов, 1983, с.17(2).

37). Андерсоновская примесь в бесщелевом полупроводнике, Петров П.П., Дугаев В.К. 11 совещ. по теории полупроводников. Тез.докл. Ужгород, 1983, с.184(1).

39). Ширина на забранена зона на сребрън телурид, Петров П.П., Василев В., Бончева-Младенова З., Въкличарово Р., Игнатова А. Доклади от третия национален симпоз. с международн. участие "Физика и електронизация". Пловдив, 1984, с.177(5).

40). Влияние галлия на электропроводность твердых растворов системы Si-Ge, Петров П.П., Маврин О.И., Степко Т.А., Христосенко Л.Е. Изв.АН СССР. Неорганические материалы. 1985, т. 21, с. 1955(2).

41). Върху една възможност за получаване на кристали Ag2-2xCdxTe и Ag2-2xZnxTe (0.00<x<0.08) с повишена подвижност на електроните, Петров П.П., Василев В., Стойчев Вл., Бъкличарова Р., Игнатова А., Александрова С., Чолакова М. Химия, химична технолог. и металургия, ТНТМ-85. Докл. от научн. сес., кн.2 София, 1985, с. 577(5).

42). Кинетичне свойства на образци от системата Ag2Te-Ag4SSe, Петров П.П., Василев В., Бончева-Младенова З. Годишник на висшите заведения. Техническа физика, 1986, т. 23, кн. 1, с. 39(9)

43). Косвенное взаимодействие экранированых диполей в бесщелевых полупроводниках, Петров П.П., Дугаев В.К., Поляков И.О. Материалы 7 Всес. симп. по полупров. с узкой запрещен. зоной и полуметаллах, ч. 2. Львов, 1986, с. 233.

45). Особенности электронного переноса в Ag2Te вблизи структурного фазового перехода, Петров П.П., Королева Л.С., Лопатинский И.Е. Материалы 7 Всес.симп.по полупров. с узкой запрещен. зоной и полуметаллах, ч.2. Львов, 1986, с.209(3).

44). Термоэлектрические свойства сплавов системы Ag2Te-Ag4SSe, Петров П.П., Василев В., Бончева-Младенова З. Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1986, т. 22, с. 26(3).

46). Влияние термообработки на концентрацию собственных дефектов в Ag2Te, Петров П.П., Королева Л.С., Лопатинский И.Е. Материаловедение халькогенидных и кислородсодержащих полупров. Тез. докл. 2 Всес конф., ч. 2. Черновцы, 1986, с.46(1).

47). Зонная структура Ag2Te, Петров П.П., Королева Л.С., Мартынов В.Ю. Материаловедение халькогенидных и кислородсодержащих полупров. Тез.докл.2 Всес конф., ч.2. Черновцы, 1986, с.47(1).

48). Явления электронного переноса и проводимость в нитевидных кристаллах Si-Ge p-типа, Петров П.П., Маврин О.И., Миронов О.А., Королева Л.С., Степко Т.А., Чистяков С.В., Христосенко Л.Е. Исследов. и применен. сплавов кремний-германий. Тез. докл. 6 координ. совещ. Тбилиси, 1986, с. 42(1).

49). Использование нитевидных кристаллов твердого раствора Si-Ge в термометрии
Петров П.П., Маврин О.И., Степко Т.А., Христосенко Л.Е. В кн.:Исследов. и применен. сплавов кремний-германий. Тез. докл.6 координ. совещ. Тбилиси,1

50). Малоинерционный датчик температуры на основе нитевидных кристаллов Si-Ge, Петров П.П., Маврин О.И., Степко Т.А., Христосенко Л.Е. Приборы и техника эксперимента.1986, №6, с. 207(2).

51). Взаимодействие анизотропных дефектов в бесщелевых полупроводниках и ориентационные фазовые переходы в системе дефектов, Петров П.П., Дугаев В.К., Поляков И.О. 11 Всес. конф.по физике сегнетоэлетриков. Тез.докл., т.2. Киев, 1986, с. 235(1).

52). Transport properties of monocrystalline silver telluride, Petrov P.P., Vassilev V., Boncheva- Mladenova Z. Physica status solidi(a), 1987, v.99, p.237(6).

53). Тензорезистор, Петров П.П., Гаврилюк Ю.Н., Демидов Ю.Н., Степко Т.А., Христосенко Л.Е., Якшин А.И. Авт. свид. СССР  № 1276037, зарег. 08.08.1986.

54). Численные расчеты химического потенциала, проводимости и температурного коэффициента сопротивления в CdTe, Петров П.П., Дугаев В.К., Поляков О.А., Степко Т.А. Рукопись депон. в УкрНИИНТИ 23.06.87, №1702 Ук87.16.

55). Взаимодействие собственных дефектов в бесщелевых полупроводниках АIIВIV, Петров П.П., Дугаев В.К. 3 школа по акт. вопросам физ. полуметал. и узкозон. полупровод. Тез. докл. Тирасполь,1987, с.43(1).

56). Расчет химического потенциала, концентрации дефектов и коэффициента активности в CdTe при образовании комплексов вакансия-примесь, Петров П.П., Дугаев В.К., Королева Л.С., Поляков И.О. Рукопись деп. в УкрНИИНТИ 23.10.87, №2953 Ук87.16.

58). Толстопленочный термометр сопротивления, Петров П.П., Гаврилюк Ю.Н., Демидов Ю.Н., Кичигин Д.А., Миронов О.А., Степко Т.А., Христосенко Л.Е., Чистяков С.В., Якшин А.И. Авт. свид. СССР №1395012, зарег. 08.01.1988.

59). Температурные зависимости концентрации дефектов и примесей в различных зарядовых состояниях в теллуриде кадмия, Петров П.П., Дугаев В.К., Королева Л.С., Поляков И.О. Рукопись деп. в УкрНИИНТИ 12.08.88, №1972 Ук88.10.

60). Магнитосопротивление композиционных термометров сопротивления для криогенных температур, Петров П.П., Демидов Ю.Н., Миронов О.А., Степко Т.А., Христосенко Л.Е., Чистяков С.В. Электрические методы и средства измер.температуры "Электротермометрия-88". Тез. докл.6 Всес. конф., ч. 1. Луцк, 1987, с.140(1).

61). Полупроводниковые миниатюрные термочувствительные элементы, Петров П.П., Маврин О.И., Степко Т.А., Христосенко Л.Е. Там же: ч.2, Луцк, 1987, с.272(1).

62). Магнитосопротивление монокристаллического теллурида серебра, Петров П.П., Королева Л.С., Мартынов В.Ю. Электронная техника. Сер. 6 "Материалы". 1988, в.1(4).

63). Особенности поведения дефектов в системе Ag2Te-CdTe, Петров П.П., Королева Л.С. 2 Всес. школа по физ. и хим. рыхлых и слоистых крист. структур. Тез. докл. Харьков, 1988, с. 171(1).

64). Суперионный переход в кристаллах Ag2Te-CdTe, Петров П.П., Королева Л.С., Мартынов В.Ю. Там же, с. 172(1).

65). Исследование процессов роста моно-кристаллов твердых растворов (Ag2Te)1-x(CdTe)x, Петров П.П., Королева Л.С. 7 Всес. конф. "Хим.,физ. и техн. примен. халькогенидов". Тез. докл., ч.1, Ужгород, 1988, с.113(1).

66). Энергетический спектр твердых растворов (Ag2Te)1-x(CdTe)x, Петров П.П., Королева Л.С. Там же, ч.2, с.189(1).

68). Спинодальный распад полупроводниковых твердых растворов. Влияние электронной подсистемы, Петров П.П., Дугаев В.К. 6 Всес. конф. по физ.- хим. основам легирования полупровод. матер. Тез.докл. Москва, 1988, с. 2062.

69). Некоторые особенности электрических свойств толстопленочных резисторов, Петров П.П., Демидов Ю.Н., Калашник О.Н., Христосенко Л.Е. Состояние и перспективы разработки материалов для гибрид. интегр. схем. Тез.докл. 3 науч.-техн сем. Львов, 1988. с.16(2).

71). Толстопленочные резистивные элементы как средства измерения криогенных температур, Петров П.П., Гаврилюк Ю.Н., Демидов Ю.Н., Миронов О.А., Христосенко Л.Е. Состояние и перспективы разработки материалов для гибрид. интегр. схем. Тез.докл. 3 науч.-техн. сем. Львов, 1988 57(2).

72). Тензосвойства толстопленочных резистивных элементов, Петров П.П., Гаврилюк Ю.Н., Демидов Ю.Н., Степко Т.А., Христосенко Л.Е. Там же, с.54(2).

70). Електрични и топлофизични свойства на образци от системата Ag2-2xZnxTe,
Петров П., Василев В., Опанович А. Годишник В УЗ. Техн.физ. 1988, т. 25, с. 323(11).

73). Влияние электрического поля на совместный массоперенос германия и кремния, Петров П.П., Королева Л.С., Маврин О.И., Степко Т.А., Христосенко Л.Е. Материалы докл. 7 коорд совещ. по исслед. и примен. тверд. растворов германий-кремний. Баку, 1988, с. 19(1).

74). Конвективный массоперенос в системе Si-Ge-Br, Петров П.П., Василина Б.С. Маврин О.И. Там же, с.20(1).

75). Энергия активации акцепторной примеси в твердых растворах кремний-германий, Петров П.П., Дугаев В.К. Там же, с.32(1).

76). Легирующие свойства платины в твердом растворе Si1-xGex, Петров П.П., Маврин О.И., Степко Т.А., Христосенко Л.Е. Там же, с.34(1).

78). Полупроводниковый термометр сопротивления, Петров П.П., Маврин О.И., Степко Т.А., Христосенко Л.Е. Авт. свид. СССР №1461142, зарег. 20.10.1988.

79). Об устойчивости системы взаимодействующих примесей в узкощелевых полупроводниках, Петров П.П., Дугаев В.К., Товстюк К.Д. Рукоп.депон. в УкрНИИНТИ, 22.03.1989. №838-Ук89.20.

80). Термодинамика системы взаимодействующих примесей, Петров П.П., Дугаев В.К. Термодинамика и материаловедение полупровод.Тез. докл. 4 Всес. конф. ч. 1. Москва, 1989, с. 48(2).

81). Термодинамический аспект суперионного фазового перехода в системе Ag2Te-CdTe, Петров П.П., Василев В. Королева Л.С. Там же, ч. 1, с. 130(2).

82). Термодинамический анализ системы примесей и дефектов в теллуриде кадмия, Петров П.П., Дугаев В.К. Королева Л.С. Поляков И.О. Там же, ч. 2, с. 462(2).

83). Spinodal decomposition in semiconductor alloys, V.K.Dugaev, P.P.Petrov. Physica status solidi(b), 1989, v. 153, p. 115-122.

84). Термометры сопротивления для низких температур на основе толстопленочной технологии, Петров П.П., Демидов Ю.Н. Миронов О.А. Христосенко Л.Е. Электронная техника. Сер. 5 Радиодетали и радиокомпоненты 1989, в. 1(300), с. 41(2).

86). Датчик давления, Петров П.П., Демидов Ю.Н., Панков Ю.М., Прокопишин И.Ю. Авт. свид. СССР №1489342, зарег. 22.02.1989.

87). Статистика заряженных дефектов и примесей в CdTe при комплексообразовании, Петров П.П., Дугаев В.К., Поляков И.О., Королева Л.С. Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1989, т. 25, с. 1560(3).
    (in English: Statistic of charged impurities and defects in CdTe under complexes formations
                         V.K.Dugaev, L.S.Koroteva, P.P.Petrov. LO.Poljakov. Izv. AN USSR, Neorgan. Mater." vol.25, pp. 1560-1562,1989.)

88). Толстопленочные резистивные элементы как средства измерения криогенных температур, Петров П.П., Гаврилюк Ю.Н., Демидов Ю.Н., Миронов О.А., Хриситосенко Л.Е. Обмен производ. техн. опытом. 1989, в. 11, с. 50(2).

89). Тензосвойства толстопленочных резистивных элементов, Петров П.П., Гаврилюк Ю.Н. Демидов Ю.Н. Степко Т.А. Христосенко Л.Е. Обмен производ. техн.опытом. 1989, в. 11, с. 48(2).

91). Термодинамическое описание системы взаимодействующих примесей и дефектов в кристаллах соединений А4В6, Петров П.П., Дугаев В.К. Моделирование роста кристаллов. Тез. докл. 3 Всес. конф., ч.1. Рига, 1990, с. 71(2).

92). Роль конвекции в в процессе осаждения твердого раствора Ge-Si из газовой фазы, Петров П.П., Василина Б.С., Маврин О.И., Королева Л.С. Там же, с.175(1).

93). Тензорезистор, Петров П.П., Гаврилюк Ю.Н., Демидов Ю.Н,. Степко Т.А., Христосенко Л.Е. Авт. свид. СССР №1547486, зарег. 01.11.1989.

94). Двумерные состояния в квантовой яме для полупроводников со спектром дираковского типа, Петров П.П., Дугаев В.К. Физ. и хим. поверхности и границ раздела узкощелевых полупров. Тез. докл. республ. конф.   Львов, 1990, 2 стр.

95). Толостопленочный термометр сопротивления, Петров П.П., Гаврилюк Ю.Н., Демидов Ю.Н., Миронов О.А., Степко Т.А., Христосенко Л.Е., Чистяков С.В. Авт. свид. СССР №1552902, зарег. 23.11.1989.

96). Особенности электропроводности композиционных толстых пленок, Петров П.П., Демидов Ю.Н., Христосенко Л.Е. Моделирование в материаловедении FACTOR-90, Львов, 1990, с.25(1).

97). Неустойчивости в системе примесей с взаимодействием обусловленным фононным обменом, Петров П.П., Дугаев В.К., Товстюк К.Д. Украинский физический журнал, 1990, т. 35, с. 1381(5).
     (in English: Unstables coursed by phoooQ interactions m system of impurities with interactions.
                           V.K.Dugaev, P.P.Petrov. K.D.Tovstjuk. UlcrainskH Fiz. ZA ,vol. 35, pp. 1381-1385,1990.)

98). Электронный энергетический спектр в квантовых точках в полупроводниках на основе халькогенидов свинца и их твердых растворов, Петров П.П., Дугаев В.К., Литвинов В.И. Материаловедение халькогенидных по лупроводников. Тез. докл. 3 Всес. науч.-техн. конф. - Черновцы, 1991, с. 63(1).

99). Толстопленочный термометр сопротивления, Петров П.П., Гаврилюк Ю.Н., Демидов Ю.Н., Миронов О.А., Степко Т.А., Христосенко Л.Е., Чистяков С.В. Авт. свид. СССР №1637578, зарег. 22.11.1990.

100). Электронные состояния, обусловленные возмущением эффективной массы, в узкой квантовой яме на основе бесщелевых полупроводников, Петров П.П., Дугаев В.К. Полупров. с узкой запрещ. зоной и полуметаллы. Матер. 8 Всес. симп., ч. 1, Львов, 1991, с.92(3).

101). Energy spectrum in quantum dots of IV-VI narrow-gap semiconductors, Petrov P.P., Dugaev V.K. Litvinov V.I. Mironov O.A. Oszwaldowski M. Int.Conf. on Narrow Gap Semiconductors. Abstracts. Southampton UK, 1992, p.114(1).

102). Электронный энергетический спектр в квантовых точках для халькогенидов свинца и их твердых растворов, Петров П.П., Дугаев В.К., Литвинов В.И. Изв.АН России, Неорганические матер. 1992, с. 2327(4).

103). Energy spectrum in quantum dots of lead and tin chalcogenides se miconducting alloys, Petrov P.P., Dugaev V.K., Litvinov V.I., Mironov O.A., Nashchekina O.N., Oszwaldowski M. Acta Physica Polonica, 1992, v. 82, p. 797(4).

105). Проводимость в сверхструктурах на основе полупроводников с сильно вырожденным электронным газом, Петров П.П., Дугаев В.К. 11 Україн.конф. "Матерiалознавство i фiзика напiвпровiдникових фаз. змiнного складу" Нiжин, 1993 р., Тези доповiдей, ч. 1, стор. 43-45(3).

106). Расчет коэффициента химической диффузии примесей в теллуриде кадмия, Петров П.П., Дугаев В.К. Известия РАН. Неорганичесчкие материалы. 1994, т. 30, № 2, с. 277278(2).

108). Магнитные взаимодействия в квантовых ямах на основе полупроводников А4B6, Петров П.П., Дугаев В.К., Литвинов В.И. "The First International Conf.on Material Science of Chaleogenide and Diamond-Structure Semiconductors. Chernivtsy 1994". Abstract booklet, vol. 1, p. 14(1).

109). Динамическая проводимость электронов в полупроводниковой кван товой яме, Костробій П.П., Дугаев В.К., Петров П.П., Рудавский Ю.К. "16th Pe kar Internation. Conf. on Theory of Semiconductors", Odessa, 1994, Abstract, p. 44(1).

113). Electron transport properties in a quantum well, P.Kostrobii, V.Dugaev, P.Petrov, Int. workshop on stat. phys. and cond. material theory. Lviv, Ukraine, 11-14 Sept., 1995. Abstract, p.80(1).

114). Transport properties of metallic structures with nonideal interfaces, Petrov P.P., Dugaev V.K. Litvinov V.I. International Shool-Conference on Physical Properties in Material Science of Semiconductors. Chernivtsi, Ukraine, 11-16 Sept., 1995 Abstract Booklet, p. 1971.

115). Фазовий перехiд метал-дiелектрик в невпорядкованих двовимiрних електронних системах, П.П. Костробій, П.Петров, Ю.Рудавський, Всеукраїнська наукова конференцiя "Розробка та застосування математичних методiв в науково-технiчних дослiдженнях" присв'ячена 70-річчю від дня народження проф. П.С. Казімірського, 5-7 жовтня 1995, Львiв, Тези доповiдей, ч.2, с. 82(1).

118). Електропровідність в металевих надструктурах, Петров П.П., Костробій П., Венгрин Б. Матеріали II Міжн. конф. “Конструкційні та функціональні матеріали". 1997, Львiв, с.46.1

119). Електричний опір плоского контакту двох металів, Петров П., Дугаєв В., Костробій П. Матеріали II Міжн. конф. “Конструкційні та функціональні матеріали". 1997, Львiв, с.160(1).

120). Розв’язок рівняння Больцмана для металевих періодичних структур, Петров П.П., Вісник Держ. університ. “Львівська політехніка”. № 346, Прикладна матем. 1998, с.60-65(6).

121). Електропровідність системи квазі-двовимірних електронів, Петров П.П., Вісник Держ. університ. “Львівська політехніка”. № 357, Електроніка, 1988, с.71-74(4).


Публікації за 1999-2001 роки

123). Conductivity of periodical structures with a strongly degenerated electron gas, Petrov P.P., Journal of Pysical Studies, 1999, v.3, N 1, 90-94(5).

124). Холівська провідність електронів в напівпровідниковій квантовій ямі, Петров П.П., Вісник Держ.університ. “Львівська політехніка”. Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки". - 1999, № 362, с. 22-25(4).

125). Магнітоопір електронів в напівпровідниковій квантовій ямі, Петров П.П., Вісник Держ. університ. “Львівська політехніка”. Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки". - 1999, № 362, с. 22-25(4).

126). Особливості термоелектричних характеристик в напіпровідникових квантових ямах, Петров П.П., Венгрин Б.Я., Костробій П.П. Вісник Держ. університ. “Львівська політехніка”. Електроніка, 1999, № 382, с.61-67(6).

127). Наближення самоузгодження для функції гріна квазідвовимірних електронів, Петров П.П., Вісник Держ. університ. “Львівська політехніка”. Прикладна матем. 1999, № 364,с.63-67(5).

128). Електропровідність і термопровідність у нізькорозмірних електронних системах, Петров П.П., Венгрин Б.Я., Костробій П.П. Вісник Держ. університ. “Львівська політехніка”. Елементи теорії та приладів твердотільної електроніки. 2000, № 393, с.49-52(4).

129). Процеси термоелектричних явищ у квазідвовимірних електронних системах на основі квантових ям, Петров П.П., Венгрин Б.Я., Костробій П.П. Вісник Держ. університ. “Львівська політехніка”. Електроніка. 2000, № 397, с.113-117(5).

130).
The electron transport phenomenain quantum wells on the basse of narrow-qap semiconductors at temperature qradient, B.Venhryn, P.Kostrobii, P.Petrov, 6th International Conference on Intermolecular in Matter, Gdansk(Poland), 10-13 September 2001, 1 p.

записки